Dettagli:
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Tipo: | Tubi ceramici | Materiale: | Carburo di silicio |
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Colore: | Il nero/Grey | Densità: | ≥3.02g/cm3 |
Dimensione: | Le richieste dei clienti | Uso: | Dispositivo di caricamento del wafer a semiconduttore |
Temperatura di lavoro: | 1380℃ | Oggetto: | Il silicio ha legato la metropolitana del carburo di silicio ed il tubo ceramici, tubo del nitruro d |
Resistenza alla flessione 20℃: | 250MPa | apra la porosità: | < 0,1% |
Evidenziare: | Fasci del carburo di silicio,ugello ceramico del bruciatore |
La reazione ha sinterizzato le pagaie del carburo di silicio utilizzate al sistema di caricamento del wafer a semiconduttore
I residui a mensola sinterizzati la reazione del carburo di silicio sono una parte fondamentale del sistema di caricamento del wafer a semiconduttore. Pricipalmente sono utilizzati nella nuova industria energetica fotovoltaica. Durante l'applicazione delle lastre di silicio policristalline o dei wafer dei silici monocristallini nella fornace di smantellamento, il caricamento ed il trasporto delle lastre di silicio negli ambienti ad alta temperatura (il ° 1000-1300 C), specifiche di prodotto può essere personalizzato secondo i requisiti di cliente.
Pasta del carburo di silicio per nuova industria energetica fotovoltaica. Le specifiche principali sono 2378mm, 25550mm, 2660mm, ecc. È utilizzata nella fornace di diffusione per ricoprire le lastre di silicio policristalline o i wafer dei silici monocristallini (diffusione) nel corso del ricoprire e del trasporto delle lastre di silicio negli ambienti ad alta temperatura.
I residui a mensola hanno prestazione stabile, non deformano nell'ambito dell'ambiente ad alta temperatura ed hanno grande forza di caricamento del wafer, che è adatta a caricamento automatico robot ed a sistema di trasporto. Poiché la superficie a mensola dei residui è stabile e deforme, diventa possibile utilizzare i tubi di fornace attuali per preparare le più grandi specifiche dei tubi rotondi.
Il coefficiente di espansione termica di residui a mensola è simile a quello del rivestimento di LPCVD e si applica a LPCVD, che notevolmente prolunga il ciclo di pulizia e di manutenzione e notevolmente riduce gli agenti inquinanti.
Data tecnica di SISIC | ||
Oggetto | Unità | Dati |
Temperatura massima dell'applicazione | ºC | 1380 |
Densità | g/cm3 | ≥3.02 |
Porosità aperta | % | <0> |
Resistenza alla flessione | Mpa | 250 (20ºC) |
Mpa | 280 (1200ºC) | |
Modulo di elasticità | Gpa | 330 (20ºC) |
Gpa | 300 (1200ºC) | |
Conducibilità termica | W/m.k | 45 (1200ºC) |
Coefficiente di espansione termica | K-1×10-6 | 4,5 |
Rigidità | 13 | |
A prova di alcalina acido | Eccellente |
Foto della pagaia del carburo di silicio di Sisic
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etichetta calda: fasci del carburo di silicio; il rullo sisic, il tubo, il tubo, la reazione della porcellana ha disossato il carburo di silicio
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